В нашей онлайн базе уже более 10821 рефератов!

Список разделов
Самое популярное
Новое
Поиск
Заказать реферат
Добавить реферат
В избранное
Контакты
Украинские рефераты
Статьи
От партнёров
Новости
Крупнейшая коллекция рефератов
Предлагаем вам крупнейшую коллекцию из 10821 рефератов!

Вы можете воспользоваться поиском готовых работ или же получить помощь по подготовке нового реферата практически по любому предмету. Также вы можете добавить свой реферат в базу.

Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок

Страница 4

· при получении сильнолегированных слоев;

· p-n переходов высокого качества.

Выращивание эпитаксиальных слоев арсенида индия производится с использованием легкоплавких металлов или их смесей, которые могут быть как донорными так и акцепторными примесями в получаемых слоях.

На качество и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев, выращиваемых из жидкой фазы, влияют следующие факторы:

· скорость охлаждения раствора-расплава;

· начальная равновесная температура раствора-расплава;

· увеличение веса растворяющего вещества сверх равновесного значения;

· соотношение объема расплава и контактирующей площади поверхности подложки с расплавом;

· физико-химическая природа растворителя и растворимого вещества;

· металлографическое состояние поверхности подложки;

· чистота используемых в процессе веществ и конструкционных материалов.

На рис.5 представлена схема установки для проведения процесса эпитаксиального роста из жидкой фазы, а на рис.6 изображена кривая нагрева печи в ходе процесса.

Рис. 5. Схема установки эпитаксиального роста из жидкой фазы: 1-держатель подложки; 2-полдложка; 3-держатель раствора-расплава; 4-раствор-расплав.

Рис. 6. Температурный профиль процесса эпитаксиального роста InAs из жидкой фазы.

Электронографические и металлографические исследования установили, что слои выращенные в высокотемпературных областях, имеют более совершенную структуру по сравнению с теми, которые которые получены в низкотемпературных областях.

Молекулярно лучевая эпитаксия арсенида индия.

МЛЭ - один из современных и много обещающих технологических методов выращивания тонких монокристаллических полупроводниковых структур.

Для осаждения эпитаксиальных пленок в МЛЭ используются управляемое испарение из термического источника (или одновременное испарение из нескольких источников) в условиях сверхвысокого вакуума. Типичная установка МЛЭ показана на рис. 7.

Рис.7. Схема установки для МЛЭ: 1-молекулярные или атомные источники с заслонками; 2-основная заслонка; 3-подложка; 4-аналитический блок.

Держатель подложки и источники атомных или молекулярных пучков - испарительные ячейки - находятся в условиях сверхвысокого вакуума, получаемого ионной откачкой. Испарительные ячейки представляют собой небольшие нагреваемые камеры (“стаканы”), открытые в сторону подложки. С целью уменьшения теплового взаимодействия и предотвращения взаимного загрязнения испарительные ячейки разделяют экранами, охлаждаемыми жидким азотом. Такой же экран помещают позади держателя образца для уменьшения загрязнения остаточной атмосферы в камере. С этой же целью держатели источников, подложки изготавливают из материалов с низким давлением паров, таких, как алунд, тантал, графит. Рабочий вакуум в ростовой камере близок к 10-8Па.

Для контроля молекулярных или атомных пучков и выращиваемых слоев непосредственно в процессе выращивания используются дифрактометр электронов высоких энергий “на отражение”, масс-спектрометр, оже-спектрометр и ионный вакуумметр, контролирующий нейтральные атомные пучки.

Возможность контроля непосредственно в процессе выращивания - одно из значительных преимуществ МЛЭ. В случае МЛЭ температура подложки может быть сравнительно невысокой (500-600ОС), что приводит к низкой скорости роста (порядка 0.1 нм/с) и низкой скорости объемной диффузии. Основная заслонка и заслонки испарительных ячеек позволяют очень быстро перекрывать пучки. Это дает возможность изменять состав или уровень легирования выращиваемых структур буквально на межатомном расстоянии.

При выращивании слоев арсенида индия методом МЛЭ атомы индия и молекулы As2 и As4 попадают на подложку арсенида галлия (100). К поверхности прилипают практически все атомы индия. Поток атомов мышьяка является избыточным и только один атом As на каждый атом In остается на подложке, формируя стехиометрический состав выращиваемого слоя. Интенсивность молекулярных пучков и, следовательно, скорость осаждения можно варьировать, меняя температуру индиевого источника. Обычно плотность потока индия близка к 1015 атом.(см2×с), а мышьяка она в 5-10 раз выше.

В качестве доноров при выращивании арсенида индия методом МЛЭ используют элементы IV групп, такие, как Si, Ge и Sn. Они могут входить в подрешетку индия или мышьяка, и тип легирования будет зависить от соотношения вакансий индия и мышьяка. Наименее чувствительно к этому соотношению олово, введение которого дает материал n-типа. Самой распространенной донорной примесью, по-видимому, кремний, при его использовании достигается наиболее высокая подвижность при температуре жидкого азота, которая обычно считается основным параметром, характеризующим качество арсенида индия.

Концентрация электронов в слоях арсенида индия, выращенных методом МЛЭ, может превышать 5×1018 см-3, что значительно больше той концентрации, которая достигается при использовании газофазной эпитаксии.

Еще одним преимуществом МЛЭ является сглаживание поверхности арсенида индия в процессе роста. Благодаря этому свойству метод МЛЭ особенно удобно использовать при выращивании гетеропереходов, сверхрешеток и многослойных структур. Как и в случае остальных эпитаксиальных методов, решающим для качества будущей пленки является качество приготовления подложки.

Заключение.

Результаты сравнения различных методов эпитаксиального выращивания приведены в табл. 1.

Список использованной литературы:

1. Вайсс Г. Физика гальваномагнитных полупроводниковых приборов и их применение/Пер. с нем. под ред. Хомерики О. К. М.: Энергия, 1974. 384 с.

2. Исследование пригодности гомо- и гетероэпитаксиальных слоев GaAs, InAs и InSb для создания датчиков Холла различных направлений/ Портной Г. Я., Постных О. А., Тихонов В. И., Бессонов В. И.- В кн.: Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1981, с. 127-132.

3. Герловин И. Л., Двас В. С., Лихницкий М. И. Гальваномагнитные эффекты и их использование. М.: Машиностроение, 1967. 72 с.

4. Александров Л. Н. Гетероэпитаксиальное осаждение полупроводниковых пленок.- Микроэлектроника, 1972, т. 1, № 2, с. 120-133.

5. Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок/ Под ред. Александрова Л.Н. Новосибирск: Наука, Сибирское отделение, 1972. 226 с.

6. Андреев В. М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио, 1975. 328 с.

7. Палатник Л. С., Папиров И. И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971. 480 с.

8. Обзоры по электронной технике: Развитие теории и практики эпитаксиального наращивания из жидкой фазы на примере GaP/Федоров В. А., Минаждинов М. С., Невский О. Б., Одинцова И. Р. М., 1980. Вып. 3 (724). Сер. 6. “Материалы”. 22 с.

9. Чистяков Д.Ю., Райков Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. 408 с.

10.Обзоры по электронной технике: Кинетика осаждения эпитаксиальных слоев соединений АIIIBV из газовой фазы/Стрельченко С. С., Матяш А. А., М., 11979. Вып. 8 (678). Сер. 6, “Материалы”. 56 с.

11.Обзоры по электронной технике: Молекулярно-лучевая эпитаксия (особенности технологии и свойства пленок)/Денисов А. Г., Садофьев Ю. Г., Сеничкин А. П. М., 1980. Вып. 14 (762). Сер. 7, “Технология, организация производства и оборудование”. 76 с.

12.Олсен Г. Х., Эттенберг М. Особенности получения гетероэпитаксиальных структур типа АIIIBV.- В кн. Рост кристаллов. М.: Мир, 1981, с. 9-77.

13.Крессел Г., Нельсон Г. Свойства и применение пленок соединений элементов групп III и V, полученных эпитаксией из жидкой фазы.- В кн.: Физика тонких пленок. М.: Мир, 1977, т. 7, с. 58-63.

14.Wieder H. H. Transport coefficients of InAs epilayers.-Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, N 4, p. 206-208.

15.Mc Carthy J. P. Preparation and properties of epitaxial InAs.- Solid- State Electron, 1967, v. 10, N 7, p. 649-655.

16.Исследование начальных стадий роста, структурных и электрофизических свойств гетероэпитаксиальных слоев InAs на GaAs/Стрельченко С. С., Захаров Б. Г., Гурфинкель В. И. и др.- В кн.: Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск: Наука, 1977, ч. 2, с. 98-106.

1 2 3 [4] 5

скачать реферат скачать реферат

Новинки
Интересные новости


Заказ реферата
Заказать реферат
Счетчики

Rambler's Top100

Ссылки
Все права защищены © 2005-2019 textreferat.com